性能指标
电子光学:采用 Schottky 场发射源,Sirion 类型,电压 200V 至 30kV 连续可调,束流小于 20nA。分辨率在 30kV 时为 0.8nm(STEM 模式),15kV 时为 1.0nm,1kV 时为 2.5nm(可实现 1.9nm)。
离子光学:Sidewinder 场发射聚焦离子束光学,液态镓离子发射源,电压 2kV 至 30kV,束流 20nA(15 级可调),分辨率在 30kV 时为 7.0nm。
扫描系统:分辨率有 512x442、1024x884、2048x1768、4078x1254 像素等多种选择,最小驻留时间 50ns / 像素,电子扫描旋转角度为 n x 360 度。
样品台:5 轴电动 x - y - z - 旋转 - 倾斜台,倾斜范围 - 10 至 60 度,电动 Z 轴范围 20mm,台重复性在 0 度和 52 度倾斜时为 0.5 微米,配有可倾斜 150 度的翻转台,可放置六个 TEM 半栅格。
主要功能
材料分析:可对金属、陶瓷、聚合物、玻璃和半导体等多种材料进行分析,通过二次电子成像和成分分析等功能,提供材料的微观结构信息。
半导体检测与修改:能进行 FIB 线路修改、FIB 切片以及 SEM 电镜观察等操作,常用于半导体设计与失效分析,帮助工程师快速定位芯片中的问题区域,并进行针对性的修复和改进。
纳米加工:利用聚焦离子束进行纳米级铣削,可实现单束铣削、多束成像和沉积等功能,能够精确地去除少量材料,或在基板上精确放置金属或其他材料,满足纳米电子制造等领域的加工需求。
无损检测:与超声波扫描显微镜等设备类似,FEI Strata 400 也可在一定程度上对材料内部结构进行无损检测,通过观察材料内部的微观结构,检测是否存在缺陷、裂纹等问题。